隨著半導體技術節點不斷逼近物理極限,三維集成與先進封裝技術已成為延續摩爾定律的重要途徑。晶圓鍵合作為實現3D封裝的核心工藝,其可靠性直接決定了最終器件的性能與良率。然而,由于異質材料間的熱失配、晶格失配以及工藝參數復雜等因素,鍵合界面的可靠性面臨嚴峻挑戰。
本文科準測控小編將從鍵合原理出發,詳細介紹晶圓鍵合可靠性的評價標準、測試方法及關鍵儀器應用,為行業提供一套完整的工藝可靠性分析方案,助力國內半導體企業突破先進封裝技術瓶頸。
一、晶圓鍵合可靠性分析原理
1、鍵合界面力學特性
晶圓鍵合可靠性本質上取決于界面原子或分子間的結合強度。根據鍵合類型不同,界面作用力可分為:
化學鍵合力:共價鍵(熔融鍵合)、離子鍵(陽極鍵合)和金屬鍵(銅-銅鍵合)
物理吸附力:范德華力(臨時鍵合膠)和氫鍵
機械互鎖力:共晶鍵合和熱壓鍵合中的微觀機械錨定效應
鍵合強度通常用界面斷裂能(Gc)表示,定義為分離單位面積鍵合界面所需能量,單位為J/m2。高質量永jiu鍵合的Gc應接近材料本體斷裂能(硅約為2.5 J/m2)。
2、可靠性失效機制
鍵合工藝常見的失效模式包括:
界面分層:由表面污染、活化不足或熱應力引起
空洞缺陷:鍵合過程中氣體滯留形成
熱機械失效:CTE失配導致循環應力積累
電遷移:混合鍵合中銅互連的電流密度問題
3、可靠性評價維度
二、晶圓鍵合可靠性測試標準
MIL-STD-883:方法2019.7規定芯片剪切測試方法
JESD22-B109:晶圓級鍵合剪切強度測試標準
SEMI G86:臨時鍵合/解鍵合工藝指南
DIN EN ISO 19095:塑料-金屬界面粘附力評估
2、關鍵測試項目及標準
A、剪切強度測試(依據JESD22-B109)
測試目的:評估鍵合界面抗剪切應力能力
合格標準:
硅-硅直接鍵合:≥15 MPa
銅混合鍵合:≥50 MPa
臨時鍵合膠:5-15 MPa
B、拉伸強度測試(依據ASTM F692)
測試方法:使用圓柱形夾具垂直分離鍵合對
典型要求:≥5 MPa(永jiu鍵合)
C、熱循環測試(依據JESD22-A104)
條件:-55℃~125℃,1000次循環
判定標準:強度衰減<20%
三、檢測設備(剪切強度測試)
1、Beta S100推拉力測試機
1、設備介紹
Beta S100推拉力測試機是一種專為微電子領域設計的動態測試設備,廣泛應用于半導體封裝、LED封裝、光電子器件封裝等多個行業。該設備采用先進的傳感技術,能夠精確測量材料或組件在推力、拉力和剪切力作用下的強度和耐久性。其主要特點包括:
a、高精度:全量程采用自主研發的高精度數據采集系統,確保測試數據的準確性。
b、多功能性:支持多種測試模式,如晶片推力測試、金球推力測試、金線拉力測試以及剪切力測試等。
c、操作便捷:配備專用軟件,操作簡單,支持多種數據輸出格式,能夠wan美匹配工廠的SPC網絡系統。
2、產品特點
3、常用工裝夾具
4、實測案例
四、可靠性測試流程
步驟一、測試前準備
1、樣品制備
鍵合對切割為10×10mm2測試單元
標記測試位置(避開劃片道)
2、設備校準
力傳感器歸零
光學系統焦距校準
溫度平臺驗證(如適用)
步驟二、標準測試流程
1、非破壞性篩查
使用聲學顯微鏡(SAM)檢測界面空洞
合格標準:空洞面積<5%
2、剪切強度測試
將樣品固定在加熱平臺(根據測試要求)
刀頭以50μm/s速度接近樣品
接觸后自動檢測初始接觸力(閾值0.01N)
以設定速度(通常100μm/s)施加剪切力
記錄最大斷裂力和失效模式
3、數據分析
計算平均強度及Weibull分布
失效模式分類:
界面斷裂(粘附失效)
內聚斷裂(材料本身破壞)
混合失效
4、加速老化測試
高溫高濕存儲(85℃/85%RH,96h)
熱沖擊測試(-65℃~150℃,100次)
測試后重復步驟2-3
步驟三、典型測試報告內容
樣品信息(材料、工藝參數)
測試條件(溫度、濕度、速度)
原始數據及統計結果
失效模式顯微照片
Weibull分布曲線
與工藝規范的符合性判定
五、案例研究:銅混合鍵合可靠性分析
1、測試條件
樣品:12英寸晶圓,5μm銅凸點
鍵合參數:300℃/40kN/30min
對比組:不同CMP粗糙度(Ra=1nm vs 3nm)
2、測試結果
5.3、結論
表面粗糙度對鍵合可靠性影響顯著:
Ra=1nm組表現出更高強度及一致性
粗糙表面導致應力集中,降低界面結合
優化CMP工藝可提高可靠性30%以上
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