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      基于推拉力測試的IGBT封裝可靠性研究:測試方法、標準與實踐案例

       更新時間:2025-08-01 點擊量:153

      隨著電力電子技術的快速發展,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為現代功率電子系統的核心器件,已廣泛應用于新能源發電、電動汽車、工業變頻等領域。然而,IGBT器件在復雜工況下的可靠性問題日益突出,其失效不僅會導致設備停機,還可能引發嚴重的安全事故。

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      本文科準測控小編將詳細介紹IGBT模塊失效分析的原理、測試標準、儀器配置及操作流程,為行業同仁提供技術參考,助力提升功率器件的可靠性設計與故障診斷水平。

       

      一、IGBT失效分析原理

      1、 IGBT典型失效機理

      IGBT器件的失效主要可分為以下幾類:

      鍵合線失效:包括鍵合線脫落、斷裂、頸部斷裂等,主要由熱機械應力引起

      焊接層失效:芯片與DBC基板間的焊接層空洞、剝離、熱疲勞裂紋

      柵極結構失效:柵氧層擊穿、柵極金屬遷移

      芯片本體失效:閂鎖效應、熱擊穿、宇宙射線引發的單粒子燒毀

      2推拉力測試原理

      推拉力測試通過施加精確控制的機械力來評估器件內部互連結構的機械強度:

      拉力測試:垂直方向施加拉力,評估鍵合線與芯片/引線框架間的結合強度

      推力測試:水平方向施加推力,評估芯片與基板間焊接層的抗剪切能力

      失效判據為界面分離時的臨界力值,該力值與材料特性、工藝質量直接相關。

      二、測試標準

      1 國際通用標準

      MIL-STD-883 Method 2011:微電子器件鍵合強度測試方法

      JESD22-B116wire bond shear test標準

      IPC-9701:表面安裝器件機械性能測試

      IEC 60749-19:半導體器件機械和氣候試驗方法

      2、行業通用參數

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      三、檢測設備

      1、Alpha W260推拉力測試機

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      Alpha W260推拉力測試機是專為微電子封裝可靠性測試設計的高精度設備,特別適合紅外探測器芯片的測試需求:

       

      1、設備特點

      高精度:全量程采用自主研發的高精度數據采集系統,確保測試數據的準確性。

      功能性:支持多種測試模式,如晶片推力測試、金球推力測試、金線拉力測試以及剪切力測試等。

      操作便捷:配備專用軟件,操作簡單,支持多種數據輸出格式,能夠wan美匹配工廠的SPC網絡系統。

      2、多功能測試能力

      支持拉力/剪切/推力測試

      模塊化設計靈活配置

      3、智能化操作

      自動數據采集

      SPC統計分析

      一鍵報告生成

      4、安全可靠設計

      獨立安全限位

      自動模組識別

      防誤撞保護

      5、夾具系統

      多種規格的剪切工具(適用于不同尺寸焊球)

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      鉤型拉力夾具

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      定制化夾具解決方案

       

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      四、IGBT失效分析流程

      步驟一、前期準備

      1樣品信息收集

      器件型號、批次信息

      失效現象描述(電參數異常、外觀異常等)

      使用歷史(工作時間、環境條件等)

      2、無損檢測

      X-ray檢測焊接層空洞

      超聲波掃描內部結構

      紅外熱像儀定位熱點

      步驟二、推拉力測試流程

      1樣品固定

      使用專用夾具固定DBC基板

      確保測試平面與施力方向平行

      顯微鏡下確認測試位置

      2、參數設置

      根據鍵合線直徑設置測試速度(通常0.1-0.5mm/s)

      設置觸發力為預期失效力的10%

      定義數據采集頻率(建議≥500Hz)

      3、執行測試

      自動模式:程序控制完成系列測試點

      手動模式:單點精細操作(適用于失效定位)

      4、數據分析

      提取最大力值、失效位移等關鍵參數

      分析力-位移曲線特征(脆性/韌性失效)

      統計同一批次器件的強度分布

      5、失效定位

      光學顯微鏡觀察失效界面形貌

      SEM/EDS分析界面成分變化

      FIB制備截面樣品觀察微觀結構

      步驟三、典型失效模式判斷

      1、鍵合線頸部斷裂

      力值約為正常值的30-50%

      斷裂面位于鍵合球頸部

      通常與工藝參數不當有關

      2、界面剝離失效

      力值突然下降至接近零

      殘留物主要在一側界面

      表明界面污染或氧化

      3、焊接層疲勞

      力值呈階梯式下降

      剪切面可見明顯裂紋擴展痕跡

      與溫度循環應力相關

       

      五、案例應用

      某車載IGBT模塊批量失效分析:

      現象:工作3000小時后出現導通電阻異常增大

      分析過程:

      W260測試顯示芯片焊接層剪切力下降40%

      -位移曲線呈現典型疲勞特征

      截面分析發現焊料層存在Kirkendall空洞

      根本原因:焊料合金比例偏差導致高溫下擴散不均

      改進措施:優化焊料成分,增加擴散阻擋層


      以上就是小編介紹的有關于半導體功率器件 IGBT 故障失效分析的相關內容了,希望可以給大家帶來幫助。如果您還對半導體功率器件 IGBT 故障失效分析方法、測試報告和測試項目,推拉力測試機怎么使用視頻和圖解,使用步驟及注意事項、作業指導書,原理、怎么校準和使用方法視頻,推拉力測試儀操作規范、使用方法和測試視頻,焊接強度測試儀使用方法和鍵合拉力測試儀等問題感興趣,歡迎關注我們,也可以給我們私信和留言。【科準測控】小編將持續為大家分享推拉力測試機在鋰電池電阻、晶圓、硅晶片、IC半導體、BGA元件焊點、ALMP封裝、微電子封裝、LED封裝、TO封裝等領域應用中可能遇到的問題及解決方案。

       


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